更新時間:2023-08-18
倍增結構、光侵入式室溫型HgCdTe探測器特點室溫下工作;無需偏置;響應時間短;無閃動噪聲;從DC到高頻范圍工作;與快速邏輯元器件*兼容;動態(tài)范圍寬;大面積裝置;低成本;可根據(jù)客戶要求設計。
倍增結構、光侵入式室溫型HgCdTe探測器
PVMI-n(n表示特性波長,單位是微米)系列的光電探測器是多重異質結紅外光電探測器,使用高折射率的GaAs(或CdZnTe )過半球透鏡(標準)或者半球透鏡(可選)進行光浸入。這些裝置工作在8~12微米的范圍內,特別用于大范圍探測。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過近開發(fā)的變隙半導體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得??梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標準可以供貨的探測器(不帶視窗)封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據(jù)需求提供。
倍增結構、光侵入式室溫型HgCdTe探測器參數(shù):
特性(@ 20ºC) | 單位 | LD-PVMI-8 | LD-PVMI-10.6 |
特性波長λop | μm | 8 | 10.6 |
探測率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W |
≥6 x 108 ≥3 x 108 |
≥2 x 108 ≥1 x 108 |
響應度–at λop | A*mm/W | ≥0.04 | ≥0.01 |
響應時間τ | ns | ≤4 | ≤1.5 |
電阻 | Ω | 50-300 | 20-150 |
光學面積(長 × 寬) | mm× mm | 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; | |
工作溫度 | K | 300 | |
視場, F# | deg | 36, 1.62 |