短波焦平面探測(cè)器是用來對(duì)9-14μm的電磁波進(jìn)行成像探測(cè)的探測(cè)器。根據(jù)黑體輻射理論，任何物體都會(huì)向外輻射電磁波，電磁波頻譜分布與溫度有關(guān)，溫度越高，輻射峰值波長(zhǎng)越短。由于常溫(30℃)的物體黑體輻射電磁波的峰值波長(zhǎng)約為10μm左右，所以對(duì)9-14μm的電磁波進(jìn)行探測(cè)能夠?qū)Ρ容^適合用于常溫環(huán)境。
 

　　短波焦平面探測(cè)器按探測(cè)機(jī)理可分為熱探測(cè)器和光子探測(cè)器，按其工作中載流子類型可以分為多數(shù)載流子器件和少數(shù)載流子器件兩大類，按照探測(cè)器是否需要致冷，分為致冷型探測(cè)器和非致冷型探測(cè)器。非致冷探測(cè)器目前主要是非晶硅和氧化釩探測(cè)器，致冷型探測(cè)器主要包括碲鎘汞三元化合物、量子阱紅外光探測(cè)器Ⅱ類超晶格等。
 

　　隨著短波焦平面探測(cè)器材料研究的進(jìn)展和短波紅外焦平面探測(cè)器制備工藝的不斷改進(jìn)和創(chuàng)新，短波紅外焦平面探測(cè)器將向更大面陣規(guī)模、更寬的光譜響應(yīng)范圍發(fā)展，將會(huì)在更多的領(lǐng)域得到重視和應(yīng)用。
 

　　短波焦平面探測(cè)器由探測(cè)器陣列與讀出電路倒裝互連而成。焦平面器件技術(shù)涵蓋光電子與微電子技術(shù)范疇，器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜，技術(shù)難度大，對(duì)設(shè)計(jì)、工藝、產(chǎn)品化等技術(shù)均有較高要求。紅外成像技術(shù)的核心部分當(dāng)屬紅外探測(cè)器技術(shù)，包括紅外材料、器件等重大制造工藝技術(shù)，涉及紅外探測(cè)器基礎(chǔ)理論、總體設(shè)計(jì)、薄膜材料生長(zhǎng)技術(shù)、材料性能表征與評(píng)價(jià)技術(shù)。