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技術(shù)文章
按照不同波段來區(qū)分光電探測(cè)器,可以分為幾類?
光電探測(cè)器
在光通信系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)將光轉(zhuǎn)變成電的作用,這主要是基于半導(dǎo)體材料的光生伏應(yīng),所謂的光生伏應(yīng)是指光照使不均勻半導(dǎo)體或半導(dǎo)體與金屬結(jié)合的不同部位之間產(chǎn)生電位差的現(xiàn)象。(光電導(dǎo)效應(yīng)是指在光線作用下,電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過度到自由狀態(tài),而引起材料電導(dǎo)率的變化的象。即當(dāng)光照射到光電導(dǎo)體上時(shí),若這個(gè)光電導(dǎo)體為本征半導(dǎo)體材料,且光輻射能量又足夠強(qiáng),光電材料價(jià)帶上的電子將被激發(fā)到導(dǎo)帶上去,使光導(dǎo)體的電導(dǎo)率變大是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象,光子作用于光電導(dǎo)材料,形成本征吸收或雜質(zhì)吸收,產(chǎn)生附加的光生載流子,從而使半導(dǎo)體的電導(dǎo)率發(fā)生變化,產(chǎn)生光電導(dǎo)效應(yīng)。)
按照
光電探測(cè)器
不同波段來區(qū)分它們,可分為紫外光探測(cè)器、可見光探測(cè)器以及紅外光探測(cè)器,這些探測(cè)器的材料可分為碳化硅探測(cè)器、硅探測(cè)器、鍺探測(cè)器、銦鎵砷探測(cè)器、硒化鉛探測(cè)器、碲鎘汞探測(cè)器等。
1.碳化硅探測(cè)器(SiC)
光譜響應(yīng):0.2-0.4um;可應(yīng)用于火焰探測(cè)和控制、紫外測(cè)量、控制殺菌燈光和醫(yī)療燈光控制等領(lǐng)域。
2.硅探測(cè)器(Si)
光譜響應(yīng):0.3-1.0um;可應(yīng)用于工業(yè)的控制系統(tǒng)、氣體分析、熱傳感器以及光纖測(cè)試設(shè)備中。
3.鍺探測(cè)器(Ge)
光譜響應(yīng):0.8-1.8um;可應(yīng)用于光功率計(jì)(OPM)、LED/LD老化及特性診斷、光譜學(xué)以及眼睛安全激光探測(cè)傳感器等領(lǐng)域。
4.銦鎵砷探測(cè)器(InGaAs)
光譜響應(yīng):0.9-2.7um;可應(yīng)用于氣體分析、近紅外FTIR、近紅外熒光光譜、血液分析、光通訊以及光功率測(cè)量等領(lǐng)域。
5.硫化鉛探測(cè)器(PbS)光導(dǎo)
光譜響應(yīng):1.0-3.0um;可應(yīng)用于氣體檢測(cè)、光學(xué)測(cè)溫、光度計(jì)、濕度分析儀以及醫(yī)療氣體分析等領(lǐng)域。
6.銻化銦探測(cè)器(InSb)
光譜響應(yīng):1-5.5um;可用于熱成像、熱追蹤制導(dǎo)、輻射計(jì)、光譜以及FTIR等領(lǐng)域。
7.碲鎘汞探測(cè)器(HgCdTe)
光譜響應(yīng):0.5-5.5um/2-26um;可用于熱成像,二氧化碳激光探測(cè),F(xiàn)TIR,制導(dǎo),光譜探測(cè)等領(lǐng)域。
更新更新時(shí)間:2021-04-25
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